利用三電極體系(三電極構(gòu)成兩個(gè)回路，一是極化回路，二是電位測(cè)量回路)分別測(cè)定了PEO陶瓷層在5%NaCl溶液中的耐蝕性。通過(guò)研究電極的電流和電位，從而得到極化曲線如圖3-35所示。可見，兩種腐蝕介質(zhì)中，除了添加Al2O3的陶瓷層外，添加了第二相粒子和無(wú)機(jī)添加劑的PEO陶瓷層的耐蝕性較主體系均有不同程度的提高。


 
 
在5%H2SO4中較為明顯，主體系陶瓷層的腐蝕電位Ecorr=-587mV，多種無(wú)機(jī)添加劑共同作用的陶瓷層的腐蝕電位Ecorr=-7.5mV，添加納米MgO的陶瓷層Ecorr=-19.2 mV，添加MoS2的陶瓷層Ecorr=-34.5mV，可見，多種無(wú)機(jī)添加劑共同作用的陶瓷層的腐蝕電位較主體系正了近600mV，而其它兩者的耐腐蝕性能較主體系也有了明顯提高。耐蝕性最差的為添加A12O3的PEO陶瓷層，其腐蝕電位Ecorr=-658.4mV，甚至比主體系還要負(fù)了71.4mV。可見，在電解液中添加A12O3對(duì)PEO的耐腐蝕性能沒有改善作用，反而負(fù)作用。觀察圖3-35可以發(fā)現(xiàn)，相同的工藝條件下PEO陶瓷層在不同的腐蝕介質(zhì)中具有不同的耐腐蝕性能，與基體相比較而言，PEO陶瓷層在酸性腐蝕環(huán)境中比在中性腐蝕環(huán)境中呈現(xiàn)出更好的耐蝕性，因?yàn)樵?%NaCl腐蝕液中，各PEO陶瓷層的腐蝕電位分布在-780mV～-740mV較窄的區(qū)間內(nèi)，而在5%H2SO4腐蝕液中，各PEO陶瓷層的電位分布在-7.5mV～-658.4mV較寬的區(qū)間內(nèi)。以添加了納米MgO的陶瓷層為例，其在5%H2SO4中腐蝕電位Ecorr=-7.5mV，在5%NaCl中腐蝕電位Ecorr=-758.7mV。
分析認(rèn)為：第二相粒子MgO的加入，能夠參與PEO反應(yīng)，形成具有陶瓷特性的MgAl204相，從而增強(qiáng)PEO陶瓷層的致密性；MoS2的加入使微區(qū)弧光放電溫度增加，有利于γ-A12O3向α-A12O3的轉(zhuǎn)變；一定數(shù)量的石墨粉末可沉積于陶瓷層表面的微孔結(jié)構(gòu)中，填充了放電通道驟冷來(lái)不及封閉的孔道，增強(qiáng)陶瓷層的致密性；添加無(wú)機(jī)添加劑后，提高了致密相α-A12O3相的含量，使致密層變厚，(a)(b)所以整個(gè)陶瓷層表面致密性也得以顯著提高。http://www.wongitop.cn